EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
ovc iii
ovc iii 文章 進(jìn)入ovc iii技術(shù)社區(qū)
85-528VAC超寬輸入OVC III認(rèn)證電源，適用于工業(yè)自動(dòng)化，商業(yè)和住宅建筑中的電器
- XP Power推出PCB安裝型AC-DC電源EHL系列，可提供3.3VDC至48VDC的單輸出電壓。這款EHL05（5W）和EHL20（20W）高功率密度電源有裸板型和封裝型可選，具有85VAC至528VAC的超寬輸入范圍，可在電源波動(dòng)條件下實(shí)現(xiàn)全局兼容性和高穩(wěn)定性。EHL系列具有IEC II級(jí)結(jié)構(gòu)，符合全球工業(yè)和家庭安全認(rèn)證，專為480VAC系統(tǒng)中的相間操作而設(shè)計(jì)。OVC III（過(guò)電壓III類）認(rèn)證可直接連接到工業(yè)布線裝置，提高電氣安全性，并降低敏感電子設(shè)備損壞的風(fēng)險(xiǎn)。EHL系列符合多種認(rèn)證，包括E
- 關(guān)鍵字： 85-528VAC 超寬輸入 OVC III 認(rèn)證電源 工業(yè)自動(dòng)化
科索為中型機(jī)器人控制器和工廠自動(dòng)化提供三路隔離輸出300W的電源解決方案
- 科索有限責(zé)任公司近日宣布擴(kuò)大其為中型機(jī)器人和工廠自動(dòng)化設(shè)計(jì)的RB系列，增加一款300W的版本。RBC300F是一種開放式框架，可配置AC/DC電源，具有三路輸出，專門為機(jī)器人控制器和工廠自動(dòng)化定制?；谝粋€(gè)獨(dú)特的概念，科索RBC300F系列提供三個(gè)可配置隔離輸出，其中一個(gè)具有增強(qiáng)隔離給智能柵雙極型晶體管（IGBT）或等效應(yīng)用供電。RBC300F通過(guò)EN62477-1過(guò)電壓類別（OVC）Ⅲ認(rèn)證，當(dāng)連接到配電板時(shí)，通過(guò)減少額外的隔離變壓器，RBC300F電源簡(jiǎn)化了系統(tǒng)架構(gòu)師的設(shè)計(jì)過(guò)程，同時(shí)降低了成本。RBC3
- 關(guān)鍵字： OVC IGBT COSEL RBC300F 對(duì)流冷卻設(shè)計(jì)
美國(guó)科學(xué)家生產(chǎn)效率為47.1％的六結(jié)太陽(yáng)能電池
- 美國(guó)國(guó)家可再生能源實(shí)驗(yàn)室宣布，科學(xué)家們生產(chǎn)出了一種六結(jié)太陽(yáng)能電池，在集中照明下測(cè)得的效率為47.1%，從而創(chuàng)造了新的世界紀(jì)錄。
- 關(guān)鍵字： 美國(guó) 太陽(yáng)能電池 III-V材料
使用TinySwitch-III的12W寬電壓輸入的恒壓適配
- 使用TinySwitch-III的12W寬電壓輸入的恒壓適配器電路該電源為12V、1A輸出的寬電壓輸入反激式轉(zhuǎn)換器，采用了TinySwitch-III系列中的TNY278P器件。由于很多功能已經(jīng)集成在器件內(nèi)部，因此僅需要31個(gè)直插式元件（無(wú)表面...
- 關(guān)鍵字： TinySwitch-III 寬電壓輸入 恒壓適配
μC／OS―III為縮短中斷關(guān)閉時(shí)間作出的改進(jìn)
- μC／OS―III為縮短中斷關(guān)閉時(shí)間作出的改進(jìn),摘要：本文介紹了實(shí)時(shí)內(nèi)核的中斷機(jī)制，研究了mu;C／OS—III為縮短中斷關(guān)閉時(shí)間做出的改進(jìn)。通過(guò)對(duì)比mu;C／OS—II以及mu;C／OS—III的中斷管理辦法，分析mu;C／OS—III在哪些方面作出了改進(jìn)。
- 關(guān)鍵字： μC／OS―III 實(shí)時(shí)內(nèi)核 臨界區(qū) 中斷管理
基于μC／OS―III和ARM的空心杯電機(jī)控制器設(shè)計(jì)
- 基于μC／OS―III和ARM的空心杯電機(jī)控制器設(shè)計(jì),引言空心杯電機(jī)在結(jié)構(gòu)上采用了無(wú)鐵芯轉(zhuǎn)子，克服了有鐵芯電動(dòng)機(jī)不可逾越的技術(shù)障礙，使其具備了更加突出的節(jié)能特性、靈敏方便的控制特性和穩(wěn)定的運(yùn)行特性。隨著工業(yè)技術(shù)的飛速發(fā)展，電動(dòng)機(jī)的伺服特性要求不斷提高，空
- 關(guān)鍵字： μC／OS―III Cortex―M4 TM4C132GH6PM 空心杯電機(jī) 前饋PID
Imec結(jié)合III-V材料打造高性能Flash
- 比利時(shí)奈米電子研究中心Imec的研究人員透過(guò)將快閃記憶體(Flash)與使用砷化銦鎵(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式，發(fā)現(xiàn)了一種能夠提高快閃記憶體速度與壽命的新方法。 目前大多數(shù)的快閃記憶體使用由浮閘所控制的平面多晶矽通道，并用控制閘讀取或編程高電壓的浮閘——其方式是迫使電子穿隧至浮閘(0)或由其流出(1)。藉由將通道移動(dòng)至垂直的方向，3D快閃記憶體能夠更緊密地封裝，而不必遵循微縮規(guī)則。 此外，Imec最近發(fā)現(xiàn)，透過(guò)使用通道中的III-V材
- 關(guān)鍵字： Imec III-V
如何將RTOS添加到您的Zynq SoC設(shè)計(jì)中
- 1 什么是實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)? 實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)是確定的，意思是指系統(tǒng)需要在明確的截止時(shí)間內(nèi)做出響應(yīng)。這種確定性很重要，其原因有多種，例如，如果最終應(yīng)用正在監(jiān)控工業(yè)流程，那么必須在特定時(shí)段內(nèi)對(duì)事件做出響應(yīng)，工業(yè)控制系統(tǒng)就屬于這類情況。 可根據(jù)滿足截止時(shí)間的能力對(duì)RTOS進(jìn)一步分類為三種不同類型的RTOS，每種類型都以不同方式滿足截止時(shí)間。在hard RTOS中，錯(cuò)過(guò)截止時(shí)間被視為系統(tǒng)錯(cuò)誤。而對(duì)于firm RTOS就不是這樣，偶爾錯(cuò)過(guò)截止時(shí)間是可以接受的。在soft RTOS中，錯(cuò)過(guò)一次截止時(shí)間會(huì)減少
- 關(guān)鍵字： RTOS SDK 信號(hào)量 Zynq μC/OS-III
經(jīng)典再續(xù)：μC/OS-III
- μC/OS-III相比于μC/OS-II做了很多的改進(jìn)，是一款全新的內(nèi)核，在效率方面有了很大提升，并且支持任務(wù)的時(shí)間片輪轉(zhuǎn)調(diào)度，摒棄了一些不必要的內(nèi)容，如消息郵箱，對(duì)于熟悉μC/OS-II的工程師來(lái)說(shuō)，上手μC/OS-III還是比較容易的，先來(lái)了解一下μC/OS-III做了哪些具體的改進(jìn)。 一、時(shí)鐘節(jié)拍的改進(jìn) 在RTOS中,任務(wù)可通過(guò)調(diào)用延時(shí)函數(shù)(如OSTimeDly( )函數(shù))將自己延時(shí)掛起一段時(shí)間，任務(wù)在延時(shí)的過(guò)程中會(huì)釋放CPU,延時(shí)的任務(wù)不占用寶貴的CP
- 關(guān)鍵字： RTOS μC/OS-III μC/OS-II
基于μC/OS-III及STM32的多功能控制器設(shè)計(jì)
- 電動(dòng)軌道車控制系統(tǒng)一般分為多個(gè)子系統(tǒng)，子系統(tǒng)受一個(gè)主控器控制。這樣的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)繁瑣，編程復(fù)雜。采用μC/OS-III操作系統(tǒng)、STM32F103RC微控制器、12864液晶屏、PVC按鍵、無(wú)線串口模塊、鋰電池等實(shí)現(xiàn)具有人機(jī)界面、無(wú)線串口功能的總線主控器。該控制器具有人機(jī)界面、軌道車主控器、遙控接收器、遙控面板等多種功能，并且能在不同項(xiàng)目中使用。(※ μC/OS-III從官網(wǎng)上下載，文件名為Micrium_uC-Eval-STM32F107_uCOS-III,版本為V1.29.01.00。)
- 關(guān)鍵字： μC/OS-III STM32 12864
超越矽晶 III-V族材料可望生成MOSFET
- 最高性能的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據(jù)近日在美國(guó)夏威夷檀香山舉行的2014VLSI技術(shù)研討會(huì)上的研究人員們表示，未來(lái)，這種MOSFET將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生長(zhǎng)而成。 在一場(chǎng)由Semiconductor Research Corporation(SRC)所舉行的產(chǎn)品展示中，美國(guó)加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人員們展示他們所宣稱世界上最高性能的MOSFET──這種MOSFET是由在(InP)上的砷化銦鎵(InGaAs)所形成;這種
- 關(guān)鍵字： III-V族 MOSFET
ovc iii介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條ovc iii!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)ovc iii的理解，并與今后在此搜索ovc iii的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)ovc iii的理解，并與今后在此搜索ovc iii的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
ovc iii相關(guān)帖子
ovc iii資料下載
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473